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张家港经开区:关于未来半导体发展的专题调研

时间:2019-03-14 16:29来源:江苏开发区网 点击:0
2016年全球半导体市场产值为3389亿美元,2017年全球市场首次突破4000亿美元大关达4122亿美元,2018年这一年的全球半导体产值约4767亿美元,上涨13.4%,前景很好。近年来,张家港经济技术开发区确立了发展半导体产业的主导方向,分析研究技术发展走向,做强半导体产业,对开发区高质量发展具有重要意义。

一、基本情况

作为开发区重点规划发展的战略性新兴产业,目前已具备了一定的发展基础和自身的特色优势。

产业链完整。基本形成了半导体材料、设计、制造、测试等较为完整的产业体系,在LED(发光二极管)、磁传感、半导体、砷化镓、氮化镓、半导体晶圆测试、半导体封装胶膜等方面形成了初步的产业链。半导体、芯片企业累计76家,其中芯片设计企业31家,涵盖电脑处理器芯片、传感器芯片、半导体芯片等,封装企业13家。

创新链有力。建设了一批创新孵化载体,引进集聚了一批掌握关键技术的领军人才(团队),培育了一批自主知识产权成果。目前,建有国家级科技企业孵化器2家、省级以上众创空间4家,创业载体孵化面积超100万平方米,累计引进半导体、芯片人才(团队)28个,半导体产业领域科技人才企业累计申请专利296件。

服务链齐全。培育了一批市场化的科技咨询、项目申报、专利代理等科技服务机构,建立了产学研协同创新服务链,优化了科技创新发展环境。在半导体产业领域引进建设中科院苏州纳米所张家港研究院,正积极推进建立半导体产业公共技术服务平台,在人才引进、知识产权保护、科技企业培育等方面出台了科技创新积分普惠性政策。

二、半导体产业发展面临的问题

开发区的半导体产业具备了一定的发展基础和自身特色优势,但面临的问题和困难也不容忽视,主要表现在:

产业层面存在“三难一小”问题目前,全球半导体市场主要被美国、日本和欧洲垄断瓜分,占据66.25%。我国作为全球最大器件市场,半导体产业起步较晚、技术落户,产业普遍处于中低端。和国内其他地方一样,开发区半导体器件产业在全球半导体行业发展趋于成熟、市场瓜分殆尽的情况下,产业分散、层次偏低,也面临着市场拓展难、规模提升难、技术突破难的现实问题,领军企业规模偏小,谈不上市场主导权和影响力。

技术层面存在“三少一多”问题截至2017年底,全球半导体产业专利申请107939件,主要集中在美国、日本、欧洲。我国专利申请数量持续增长,但质量总体不高。与国外企业拥有雄厚的技术积累及严密的全球专利布局相比,开发区半导体企业创新基础薄弱、技术总体落后,专利申请总量较低,普遍存在少核心技术、少有效保护、少交流机制的问题,缺全球专利布局意识,面对众多技术壁垒,竞争劣势凸显,发展空间受到挤压。

要素层面存在“三缺一弱”问题开发区半导体产业正处在起步爬坡阶段,对人才、资金和政策的依存度高。作为初创期人才企业,普遍存在缺人才、缺资金、缺产业政策支持的问题。目前,开发区半导体产业规划和扶持政策尚未出台,企业资金短缺、人才匮乏,特别是研发设计、工程技术及复合型管理人才缺口大。人才培养渠道上还未形成相关的职业教育配套,科技综合服务能力偏弱,现有服务机构实力不强、整体能力水平偏低,半导体公共技术服务平台还在建设阶段,建设周期长、进展不快,难以满足半导体产业发展需求。

三、未来发展路径

发展半导体产业是开发区产业转型升级的必然选择和有效路径,应以加强专利布局、保护运用为重点,在技术、产业、要素等方面找准重点、突破难点。具体来说:

一要培育产业优势。充分发挥现有半导体产业链条较全、产业初具规模的特点,以专利技术分析利用、知识产权保护为前提和根本支撑,重点推进华灿光电LED发光二极管、能华微电子氮化镓等半导体项目建设,以龙头企业为核心,加快集聚产业链各类资源,补足补强产业链条,打造若干半导体特色产业、优势项目,以优势项目带动产业快速崛起,加速形成产业资源集聚、规模品牌效应。

二要补足产业短板。补足短板、弥补弱势,是半导体产业做大做强的需要。应以突破集成电路关键装备和材料的研发及专利壁垒为重点,深入实施“群链式引才”、“补链式招商”,在综合考虑技术优势、市场前景等因素前提下,重视引进的项目与现有产业的匹配度、与新技术发展方向的契合度,重点引进集成电路设计、制造等产业链薄弱环节项目、紧缺高端人才。在产业补短板招商引智过程中,应坚持开展知识产权风险评议,对引进的产业链重大项目、领军人才实施知识产权风险评议,避免潜在的知识产权风险,防止造成重大经济损失。

三要做强产业链条。半导体产业链条长、涉及面广,产业链分工水平和协同发展对产业做强至关重要,应引导鼓励行业错位竞争、抱团发展。支持龙头公司牵头成立半导体产业技术联盟、专利战略联盟,加强技术交流,建立行业专利池,实现抱团发展。围绕磁传感产业,重点集聚芯片、传感器、测控等产业化项目;围绕LED产业,加快集聚LED上下游企业;围绕半导体(IGBT)、氮化镓(GaN)产业,加快培育半导体产业集群;围绕砷化镓半导体产业,加快培育“集成光电”产业集群。

要制定发展路线图。由相关产业规划部门牵头组织国内半导体产业领域专家团队,通过对日、美、欧洲等国家(地区)半导体产业专利布局监控分析,掌握国内外半导体技术发展脉络,研究分析并预判未来技术发展走向,以6英寸碳化硅单晶及外延材料、6英寸~8英寸硅基GaN外延材料等关键材料及硅基IGBT芯片、模块以及硅基MOSFET、FRD等关键电力电子器件为重点,制定半导体产业发展路线图、产业专利导航图,明确产业发展重点、技术方向和专利布局路径,指导半导体产业补链式招商引才和技术研发。

要抢占技术制高点。支持企业在半导体晶圆测试、封装胶膜、集成电路、传感器芯片等领域,对现有半导体产品专利技术加强分析研究,加强与国内半导体技术领域高校院所产学研用深度对接,加快建设公共技术服务平台,鼓励开展技术联合研发、专利联合申请,突破半导体产业现有核心专利技术壁垒。同时,应抓住以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)宽禁带化合物为代表的第三代半导体器件处于起步阶段的契机,鼓励龙头企业联合各类创新资源,对第三代半导体器件加强技术研发和专利布局,努力实现弯道超车。

要推进技术保护立体化。半导体产业是技术、资本密集型产业,建立立体化技术保护体系,既是企业发展需要,也是减少产业知识产权风险和危机的必然要求。横向应围绕关键核心产品,实施外观设计与商标交叉保护、专利与商业秘密双重保护、商标与域名一体化保护,实现专利、商标、版权、著作权、集成电路布图设计、商业秘密等全方位多层次分类分级保护网络,并建立相应标准体系;纵向应以构建专利防御体系为目标,构建从专利检索、申请提出到授权运用的企业专利创造保护机制,建立核心专利与周边专利保护相结合的产业专利池。

(张家港经济技术开发区党政办公室)

 


(责任编辑:周文静)